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具有氧空位的准贵金属石墨烯量子点沉积氧化锡:合成和增强的光催化性能_高分子材料与工程外文翻译
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译文字数: 3502 字 (节选翻译) 译文格式: Doc.docx (Word) 更新时间: 2021-04-27
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具有氧空位的准贵金属石墨烯量子点沉积氧化锡:合成和增强的光催化性能_高分子材料与工程外文翻译

译文(字数:3502):

关键词:光催化性能,可见光响应,氧空位,石墨烯量子点SnO2

将SnO2与柠檬酸(CA)简单烧结,制备出具有氧空位(VOs)的准贵金属石墨烯量子点(GQDs)沉积氧化锡(SnO2)。SnO2与GQDs之间的氧化还原过程显示了氧化锡导带以下氧空位态的形成。所产生的VOs明显地将SnO2的光学吸收区扩展到可见光区。同时,GQDs可以通过类似贵金属的准函数有效地提高电荷分离效率,并在一定程度上促进可见光响应。此外,在450℃条件下钙化的样品,VOs浓度较高,表现出最佳的性能。此外,还提出了扩展的可见光响应和提高电荷分离效率的可能降解机理。我们的工作可以提供一个简单的策略,结合缺陷调制和贵金属沉积同时有效的光催化。

1. 介绍

半导体光催化已被广泛认为是一种很有潜力的技术,在很大程度上满足了当前环境与能源问题的要求。Markham和他的同事早期的工作描述了一些金属氧化物如ZnO、Sb2O3和TiO2在紫外光下催化氧化有机化合物的现象。几十年的研究已经进行,以回答许多关于半导体光催化复杂性的基本问题。然而,半导体光催化的内在问题仍然存在,理想的光催化剂应具有光吸收范围广和光生载流子复合速率低的特点。

一般来说,通过掺杂元素、缺陷工程、贵金属沉积、窄带半导体耦合半导体形成杂化异质结或复合材料等方法,可以扩大光响应范围,提高电子空穴对的分离效率[。在这些方法中,缺陷调制被认为是延长光响应范围的有效方法,可以通过与其他元素掺杂、缺氧条件下的热处理、高能轰击和还原处理的自掺杂等几种合成方法来实现。近年来,自掺杂半导体光催化剂引起了人们的广泛关注。报道了Ti3+掺杂二氧化钛具有可见光吸收和光催化活性增强的特性。


原文(PDF格式,未统计字数):

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